系列三：等離子體刻蝕系統(tǒng)的精準溫控

等離子體刻蝕（干法刻蝕）

在半導體生產(chǎn)中，尤其在生產(chǎn)電子設(shè)備所需的復雜電路時，等離子體刻蝕是所需的基本工藝。

等離子體刻蝕又稱干法刻蝕，在此工藝過程中，晶圓暴露在真空刻蝕室的等離子體中，受到等離子體中離子的轟擊，從而可以去除表面未被光刻膠保護的材料。

由于等離子體的溫度會影響刻蝕過程的速度和效率。在半導體生產(chǎn)中，對等離子體進行高精度的溫度控制非常重要。

晶圓的加工級別在微米級和納米級之間，即使溫度只是發(fā)生了微小的變化，也會導致蝕刻結(jié)構(gòu)的尺寸和形狀發(fā)生顯著變化。

刻蝕系統(tǒng)的溫度控制

LAUDA 為等離子體刻蝕這一敏感工藝，提供專門設(shè)計的 Semistat 系列。

基于久經(jīng)考驗的珀爾帖導熱原理，LAUDA Semistat 工藝恒溫器可對等離子體刻蝕進行可重復的溫度控制。Semistat 可以對靜電晶圓吸盤（ESC）進行動態(tài)溫度控制，是適用于各種等離子體刻蝕工藝的通用 TCU。Semistat 節(jié)能、省空間、溫度控制穩(wěn)定。

Lauda semistat 工藝恒溫器

開創(chuàng)性的珀爾帖恒溫器：為要求苛刻的工藝，提供快速精準的溫度控制。

用于半導體行業(yè)的，−20 到 90 °C 的熱電工藝恒溫器：

• 制冷功率， 從 1.2 到 4.4 kW

• 加熱功率， 從 3 到 12 kW

技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品優(yōu)勢：

•     無需制冷劑

•     體積小，節(jié)省寶貴的潔凈室空間

•     導熱液體的消耗量少

•     無需經(jīng)常維護

•     大幅減少導熱液體的使用量，節(jié)省成本

針對應(yīng)用進行了優(yōu)化的

高能效的恒溫設(shè)備

基于珀爾帖原理的 LAUDA Semistat ，用于控制等離子刻蝕應(yīng)用的溫度，在運行過程中會及其節(jié)能。

熱電式恒溫器和壓縮機式恒溫器相比較，有以下優(yōu)勢：

由上述可見，這些優(yōu)勢提高了等離子刻蝕工藝中熱電恒溫設(shè)備的效率，并顯著降低了能耗。

基于實際客戶應(yīng)用，我們對 LAUDA Semistat S 2400 恒溫器和競爭對手的恒溫器進行了比較測量。

我們根據(jù)測量出的耗電量，確定了各自的成本，并計算出了所節(jié)省的電量。

相比之下，LAUDA Semistat S 2400 可節(jié)省 90%的電量。

同時，根據(jù)測量的加熱和冷卻速率，確定了升降溫時間，并計算出了所節(jié)省的時間。熱電型設(shè)備的冷卻和加熱時間（斜率下降和斜率上升時間）也明顯少于用壓縮機型恒溫設(shè)備。

相比之下，LAUDA Semistat S 2400 可節(jié)省高達 67% 的冷卻時間，和 81% 的加熱時間。

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