維修 AMPTEK硅漂移探測器FAST SDD將硅片制造引入內(nèi)部，并改進(jìn)了工藝。其結(jié)果是探測器具有更低的噪聲、更低的泄漏電流、更好的電荷收集以及探測器之間的均勻性。這使其成為性能更好的硅漂移探測器。

維修 AMPTEK硅漂移探測器FAST SDD：性能特點(diǎn)：

• 25 mm2的活動(dòng)面積校準(zhǔn)為17 mm2

• 也可提供70 mm2準(zhǔn)直至50 mm2

• 9 keV時(shí)的122 eV FWHM分辨率

• 計(jì)數(shù)率>1000000 CPS

• 高峰值與背景比–26000/1

• 前置放大器輸出上升時(shí)間<35 ns

• 窗口：Be（5密耳）12.5µm，或C系列（Si3N4）

• 抗輻射

• 探測器厚度500µm

• TO-8包裝

• 冷卻ΔT>85 K

• 多層準(zhǔn)直器

技術(shù)參數(shù)：

• 探測器類型：帶CMOS前置放大器的硅漂移檢測器（SDD）

• 探測器尺寸：25 mm2-校準(zhǔn)至17 mm2，也可提供70mm2-準(zhǔn)直至50mm2

• 硅厚度：500µm或1000um可用

• 準(zhǔn)直器內(nèi)部：多層準(zhǔn)直器（ML）

• 4µs峰值時(shí)間下5.9 keV（55Fe）：122-129 eV FWHM時(shí)的能量分辨率（保證）

• 峰值與背景：20000:1（計(jì)數(shù)比從5.9 keV到1 keV）（典型）

• 探測器窗口選項(xiàng)：鈹（Be）：0.5密耳（12.5µm）或0.3密耳（8µm），C系列（Si3N4）低能耗窗戶

• 電荷敏感型前置放大器：CMOS

• 增益穩(wěn)定性：<20 ppm/°C（典型）

• 總功率：<2瓦

• 設(shè)備壽命：通常為5至10年，具體取決于使用情況

• 操作條件：-35°C至+80°C

• 長期儲(chǔ)存：在干燥環(huán)境中儲(chǔ)存10年以上

• 典型儲(chǔ)存和運(yùn)輸：-40°C至+85°C，濕度10至90%，不凝結(jié)

• 產(chǎn)地：美國

-尺寸

• 探測器模塊：TO-8封裝（0.640英寸高，包括銷，0.600英寸直徑）

• XR100盒：3.00 x 1.75 x 1.13英寸（7.6 x 4.4 x 2.9厘米）

• X-123箱：3.94 x 2.67 x 1.0英寸（10.0 x 6.78 x 2.54厘米）

• 原始設(shè)備制造商：配置各不相同

-重量

• 探測器模塊：0.14箱（4.1克）

• XR100盒：4.4盎司（125克）

• X-123箱：6.3盎司（180克）

• 原始設(shè)備制造商：配置各不相同

     

維修 AMPTEK硅漂移探測器FAST SDD下圖顯示使用標(biāo)準(zhǔn)0.5mmFASTSDD和新的1.0mmFASTSDD測試多元素樣品譜圖。15keV以上能量，更厚的探頭能量響應(yīng)效率更高，10keV以下所有的能量效率和分辨率相同。