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SWIR90170-512-TE線(xiàn)列探測(cè)器主要由低噪聲讀出電路（ROIC）、P-I-N結(jié)構(gòu)的InGaAs光敏芯片及一級(jí)熱電致冷器（TEC）組成，并采用陶瓷封裝形式

　　線(xiàn)列探測(cè)器的主要參數(shù)：光電性能

指標(biāo)名稱(chēng)	參數(shù)
響應(yīng)光譜范圍(μm)*1	0.95±0.05~1.7±0.05
像元填充率(%)	100
量子效率（%）	≥65
峰值探測(cè)率 (?????√????/????)	≥1×1012
峰值靈敏度(A/W)	≥0.8
有效像元率(%)*2	100
響應(yīng)不一致性(%)	<4
讀出方式	IWR、ITR，可選
讀出速率(MHz)	≥10
最高幀頻(fps)	>20k
增益檔位	8
飽和電壓(V)	1.6
轉(zhuǎn)換增益(nV/e-)	增益檔位1：1600 增益檔位2：800 增益檔位3：4000 增益檔位4：2665	增益檔位5：17 增益檔位6：84 增益檔位7：32 增益檔位8：160

　　*1焦平面溫度=25℃*2像元響應(yīng)信號(hào)與平均值偏差小于一定范圍內(nèi)的像元百分比。

　　線(xiàn)列探測(cè)器的機(jī)械性能：

指標(biāo)名稱(chēng)	典型值
長(zhǎng)×寬×高(mm)	28×15×6.2
重量(g)	~9
焦平面規(guī)模	512×1
像元中心距(μm)	25
像元尺寸(μm)	25×250
感光面積(mm)	12.8×0.25

使用環(huán)境和功耗參數(shù)

指標(biāo)名稱(chēng)	典型值
工作溫度(℃)	-10~+60
存儲(chǔ)溫度(℃)	-20~+70
典型功率(W)*1	<0.1

　　*1未開(kāi)啟TEC，環(huán)境溫度=25℃，時(shí)鐘頻率=1MHz，VDDD=VDDA=3.3V，VBOP=2.4V，VBOUT=VREF=VNDET=2.3V

　　機(jī)械參數(shù)：該款探測(cè)器采用陶瓷封裝形式，充常壓高純氮?dú)猓軞げ馁|(zhì)為氧化鋁陶瓷，蓋板及引腳采用FeNiCoSi系合金，表面電鍍Ni/Au層，窗口焊接方式為In系釬焊，封蓋形式為電阻焊接。探測(cè)器外形尺寸為28mm(L)×15mm(W)×6.2mm(H)。外殼上有30根Φ0.45mm的針腳從背部引出，針腳的間距為1.778mm，用于焦平面電源與指令的輸入、焦平面探測(cè)信號(hào)和溫度傳感器的電學(xué)引出以及熱電致冷器的電源輸入。機(jī)械接口外觀及尺寸如下圖所示。

線(xiàn)列探測(cè)器

　　光學(xué)參數(shù)光學(xué)結(jié)構(gòu)該產(chǎn)品采用512×1元InGaAs焦平面，其左右兩端各有2個(gè)冗余元，即整體像元數(shù)為516×1，實(shí)際使用時(shí)推薦使用第3到514列。像元形狀為長(zhǎng)方形，感光尺寸為25μm×250μm，結(jié)構(gòu)呈“一"字型排列，像元中心距25μm，結(jié)構(gòu)如下圖所示：

線(xiàn)列探測(cè)器

　　探測(cè)器感光面與封裝結(jié)構(gòu)上表面的設(shè)計(jì)距離值為1.86±0.1mm，感光面與窗口下表面設(shè)計(jì)距離值為1.16±0.1mm，感光面與安裝面/管殼底部設(shè)計(jì)距離值為4.34±0.1mm。窗口材料為藍(lán)寶石，厚度為0.5±0.05mm，窗口折射率1.76，表面鍍有AR膜，響應(yīng)波段內(nèi)透過(guò)率>95%，窗口透光區(qū)域?yàn)?6mm×3mm。感光面中心位于探測(cè)器中心，相對(duì)位置偏移≤0.05mm，相對(duì)旋轉(zhuǎn)位移≤0.02mm。

線(xiàn)列探測(cè)器

響應(yīng)光譜（典型值）

線(xiàn)列探測(cè)器

更多詳細(xì)資料請(qǐng)看產(chǎn)品手冊(cè)

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