明電舍Meidensha純臭氧發(fā)生裝置（POG）- 80%超高濃度 | 半導體ALD/MBE專用

時間：2026/1/9閱讀：172

1. 核心概念：什么是“純臭氧發(fā)生裝置"？

這是一種革新性的臭氧生成技術(shù)。與傳統(tǒng)方法不同，該裝置通過將臭氧液化并蓄積，能夠提供不含重金屬雜質(zhì)的高純度臭氧氣體。

核心用途：主要作為半導體工藝（如原子層沉積 ALD、分子束外延 MBE）中的氧化源。在制造高精度芯片時，需要極純凈的氧化劑來形成高質(zhì)量的薄膜。
技術(shù)突破：它是世界上首的個能夠保證生成80%以上高濃度臭氧氣體并實現(xiàn)安全連續(xù)供給的裝置。
安全機制：

故障安全系統(tǒng)：在停電或異常情況下，通過溫度/壓力控制確保安全。
緊急吹掃機構(gòu)：停電時自動啟動，防止設(shè)備損壞或氣體泄漏。
國際認證：部分機型符合 SEMI-S2、UL、NFPA、CE 等國際安全標準。

2. 關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)

該裝置能夠提供極其穩(wěn)定的高濃度臭氧輸出，具體參數(shù)如下表所示：

參數(shù)項目	關(guān)鍵數(shù)值/范圍
臭氧濃度	80% 以上 (保證值)
最的大蓄積量	16,000 cc (單批次)
供氣壓力	1,000 ~ 9,000 Pa
氣體流量控制	20 ~ 150 sccm (標準立方厘米/分鐘)

3. 產(chǎn)品型號與應用場景

根據(jù)用戶的使用目的（研發(fā)、試產(chǎn)、量產(chǎn)），該頁面列出了三種不同的設(shè)備類型。這些設(shè)備的主要區(qū)別在于連續(xù)工作能力和自動化程度。

批次式 (Batch Type)

適用場景：研發(fā) (R&D)。
特點：成本較低，適合預算有限的研發(fā)用途。
限制：每周需要進行一次“再生"操作（維護/清理），無法實現(xiàn)全天候連續(xù)運行。

準連續(xù)式 (Semi-Continuous Type)

適用場景：準量產(chǎn)（試生產(chǎn)）。
特點：在“蓄積"和“供給"之間循環(huán)。
限制：同樣需要每周進行一次再生操作，無法做到完的全不間斷。

連續(xù)供給式 (Continuous Supply Type)

適用場景：大規(guī)模量產(chǎn)。
特點：真正的24小時 x 365天連續(xù)供氣。它在“蓄積"、“供給"和“再生"三個過程之間無縫切換，無需停機，是工業(yè)量產(chǎn)的理想選擇。

4. 實際應用案例

該裝置已被廣泛應用于半導體制造和精密光學領(lǐng)域，目前全的球已有約 80臺 的安裝實績（截至2024年）：

原子層沉積 (ALD)：

作為氧化源連接 ALD 設(shè)備。
優(yōu)勢：低溫處理、覆蓋性好（能均勻覆蓋復雜結(jié)構(gòu)）、運行成本低。

分子束外延 (MBE)：

用于尖的端半導體器件的研究制造。
優(yōu)勢：極低雜質(zhì)、可長時間穩(wěn)定供應微量高濃度臭氧（10 sccm~）。

電子束繪圖裝置：

用途：用于裝置內(nèi)部的原位（In-Situ）清洗。
優(yōu)勢：無等離子體（Plasma-free），設(shè)備壽命長。

總結(jié)

這個頁面展示的是一款針對高的端半導體制造的特種氣體設(shè)備。其核心價值在于解決了傳統(tǒng)臭氧發(fā)生技術(shù)中濃度低、雜質(zhì)多、無法連續(xù)運行的痛點，通過液化蓄積技術(shù)實現(xiàn)了80%以上超高純度和工業(yè)級連續(xù)穩(wěn)定性，是先的進制程中不的可的或的缺的氧化源解決方案。

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明電舍Meidensha純臭氧發(fā)生裝置（POG）- 80%超高濃度 | 半導體ALD/MBE專用

2. 關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)

3. 產(chǎn)品型號與應用場景

4. 實際應用案例

總結(jié)

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