強停止低缺陷！富士FSL1700C：STI前端CMP研磨液行業(yè)

時間：2026-3-14閱讀：18

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富士膠片F(xiàn)SL1700C是一款硅基STI（淺槽隔離）專用前端CMP研磨液，以氮化硅強停止、超低缺陷、高濃縮、成本優(yōu)為核心，破解傳統(tǒng)鈰基研磨液缺陷率高、選擇性不足的局限，推動STI工藝從鈰基轉(zhuǎn)向硅基，廣泛應用于14nm–130nm全節(jié)點xian進邏輯、存儲芯片的前端STI制程。以下按序號梳理其核心技術(shù)要點，簡潔實用、重點突出。

一、核心技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品體系：弱堿性體系，采用高純度膠體二氧化硅（SiO?）作為研磨顆粒，不含TMAH，對EHS無害；
選擇性：SiO?/Si?N?選擇性＞50:1，具備ji強的氮化硅停止效應，可進一步在鎢、鈷、多晶硅上實現(xiàn)停止；
稀釋比例：高濃縮配方，可1:3–1:5稀釋使用，大幅降低使用成本；
適配性：適配AMAT、Ebara、Lam等主流CMP設(shè)備，兼容IC1000、Suba IV等常規(guī)拋光墊；
核心用途：專為STI淺槽隔離制程設(shè)計，用于xian進邏輯與存儲器的前端氧化硅平坦化。

二、核心產(chǎn)品特點

氮化硅強停止，終點精準：在氮化硅上具備穩(wěn)定的強停止效應，blanket與圖形晶圓均能可靠停止，過拋余量充足，無氮化硅侵蝕；
硅基超低缺陷，良率保障：采用高純度膠體二氧化硅，相比傳統(tǒng)鈰基漿料，顆粒、劃痕、腐蝕坑等缺陷顯著降低，無金屬離子污染，適配xian進制程潔凈度要求；
高濃縮降本，性價比突出：高固含量濃縮配方，稀釋后使用可降低運輸與存儲成本，槽液壽命長，總擁有成本ji具競爭力；
工藝友好，易集成：弱堿性體系對設(shè)備管路腐蝕性低，維護成本低，去除速率與選擇性可調(diào)，適配不同STI結(jié)構(gòu)與工藝節(jié)點；
行業(yè)革新biao桿：推動STI工藝從鈰基轉(zhuǎn)向硅基，成為行業(yè)標準，覆蓋14nm–130nm全節(jié)點，尤其適配FinFET、3D NAND等高良率要求場景。

三、使用注意事項

使用前需根據(jù)現(xiàn)場CMP設(shè)備參數(shù)，校準稀釋比例、研磨壓力與轉(zhuǎn)速，確保研磨效果與終點控制穩(wěn)定；
專為氧化硅研磨設(shè)計，僅適配STI淺槽隔離制程，不適合銅、鎢等金屬CMP場景；
避免用于需高選擇性氧化硅/氮化硅的鈰基漿料替代場景，此類需求需選用專用型號；
存儲需置于15℃-25℃、干燥避光環(huán)境，密封保存，避免受潮、暴曬與污染，防止磨粒團聚；
操作時做好防護，避免研磨液接觸皮膚與黏膜，廢棄廢液需按環(huán)保標準妥善處理，同時遵守?；凡僮饕?guī)范。

綜上，富士FSL1700C以“強停止、低缺陷、高濃縮"的優(yōu)勢，成為STI前端CMP制程的優(yōu)選研磨液，助力企業(yè)提升研磨良率、優(yōu)化生產(chǎn)成本，推動xian進邏輯與存儲芯片制程升級。

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強停止低缺陷！富士FSL1700C：STI前端CMP研磨液行業(yè)

一、核心技術(shù)參數(shù)

二、核心產(chǎn)品特點

三、使用注意事項

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