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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>實(shí)驗室常用設(shè)備>其它實(shí)驗室常用設(shè)備>鍍膜機(jī)>CY-MS 磁控濺射鍍膜儀

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CY-MS 磁控濺射鍍膜儀

參考價 390000
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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鄭州成越科學(xué)儀器有限公司位于鄭州市開發(fā)區(qū),是一家專業(yè)從事材料制備設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的高科技公司。重點(diǎn)專注于CVD石墨烯制備設(shè)備、熒光粉燒結(jié)設(shè)備、氧化鋯生物陶瓷燒結(jié)、納米材料制備、電池材料制備、陶瓷材料的微波燒結(jié)、稀有金屬的區(qū)域提純等研究發(fā)展方向。

鄭州成越科學(xué)儀器有限公司的研發(fā)團(tuán)隊?wèi){借自身在熱處理技術(shù)方面的專業(yè)知識和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗,先后研發(fā)出了多款材料制備設(shè)備。主要產(chǎn)品有:微波燒結(jié)爐、真空管式爐、箱式電阻爐、高頻感應(yīng)爐、氧化鋯燒結(jié)爐、熒光粉燒結(jié)爐、晶體退火爐、電池材料燒結(jié)爐、旋轉(zhuǎn)管式爐、立式管式爐、CVD管式爐等;

其他的產(chǎn)品還有:等離子清洗機(jī)、真空手套箱、真空干燥箱、環(huán)境模擬測試柜、行星球磨機(jī)、高純石英管、99剛玉管、真空法蘭等。

近年來,在社會各界的關(guān)心支持下,公司不斷發(fā)展壯大,與國內(nèi)外多所高校和科研單位建立起了合作關(guān)系;公司還聘請了多位國內(nèi)外重點(diǎn)高校的教授,博導(dǎo)為公司常年的技術(shù)顧問,他們時刻與國內(nèi)外學(xué)術(shù)界保持交流,出國訪問,并親臨一線指導(dǎo)產(chǎn)品的生產(chǎn)和研發(fā),使我公司的產(chǎn)品不斷完善,并緊跟世界研究熱點(diǎn),推出相關(guān)的新產(chǎn)品。產(chǎn)品遠(yuǎn)銷歐美、日韓等國家,并在國內(nèi)外市場獲得業(yè)界好評。

如果您正在被國貨的產(chǎn)品質(zhì)量所困擾,選擇我們將改變您對國貨的某些觀念;如果您正在為自己的實(shí)驗方案的實(shí)施而茫然,選擇我們將有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊為您量身定做!如果您正在為故障設(shè)備的售后無人理會而發(fā)愁,選擇我們一切的問題將由我們負(fù)責(zé)到底。鄭州成越科學(xué)儀器有限公司的誠信、實(shí)力和產(chǎn)品質(zhì)量獲得業(yè)界的認(rèn)可。歡迎各界朋友蒞臨參觀、指導(dǎo)和業(yè)務(wù)洽談。







磁控濺射鍍膜儀,熱蒸發(fā)鍍膜儀,勻膠機(jī)旋涂儀,熔煉爐,涂布機(jī),放電等離子燒結(jié)爐,靜電紡絲機(jī),金剛石線切割機(jī),RTP退火爐,晶體生長爐,管式爐,CVD氣相沉積,氣氛爐,馬弗爐,熱解噴涂,等離子清洗機(jī),

產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 價格區(qū)間 10萬-30萬
應(yīng)用領(lǐng)域 電子/電池,道路/軌道/船舶,鋼鐵/金屬,航空航天,汽車及零部件

設(shè)備用途:  

CY-MS磁控濺射鍍膜儀用于在晶體硅表面沉積金屬薄膜(Al、Ag、Ni、Cu、Ti、Pd等),并能夠?qū)崿F(xiàn)反應(yīng)濺射,可完成高、低真空下磁控濺射鍍膜工藝,具備較大尺寸和多種尺寸規(guī)格的晶體硅光伏電池薄膜的連續(xù)制備能力。  

磁控鍍膜儀典型應(yīng)用:

•    科研領(lǐng)域:納米材料、薄膜器件、光學(xué)涂層等研究。

•    電子行業(yè):半導(dǎo)體、傳感器、導(dǎo)電薄膜制備。

•    教學(xué)演示:材料科學(xué)、真空技術(shù)實(shí)驗教學(xué)。

•    以下是磁控鍍膜儀的典型實(shí)用案例,涵蓋科研、工業(yè)及教學(xué)領(lǐng)域,體現(xiàn)其多功能性和廣泛應(yīng)用價值。
 

技術(shù)參數(shù):  

型號  

CY-in-line  

主濺真空室  

方形真空室,尺寸Ø 1000×700×350mm  

進(jìn)樣室  

圓筒型,臥室,尺寸Ø 250×420mm  

真空系統(tǒng)配置  

分子泵與機(jī)械泵,閘板閥  

極限壓力  

主濺射室  

≦8*10-5Pa(經(jīng)烘烤除氣后)  

進(jìn)樣室  

≦6.6*10-4Pa(經(jīng)烘烤除氣后)  

恢復(fù)真空時間  

主濺射室  

40分鐘可達(dá)到6.6*10-4Pa(系統(tǒng)短時間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_始抽氣)  

進(jìn)樣室  

40分鐘可達(dá)到6.6*10-3Pa(系統(tǒng)短時間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_始抽氣)  

磁控靶組件  

矩形靶尺寸約450*45mm;靶與樣品距離80mm可調(diào)  

 

基片加熱臺  

基片結(jié)構(gòu)  

尺寸125*125mm或156*156mm,可一次安裝4片樣品  

加熱溫度  

室溫~400C±2  C,可控可調(diào)  

氣路系統(tǒng)  

質(zhì)量流量控制器3路  

設(shè)備占地面積  

主機(jī)  

2655 * 930mm2  

電控柜  

700 *700mm2(兩個)  

免責(zé)聲明:本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容(包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等),僅供參考??赡苡捎诟虏患皶r,會造成所述內(nèi)容與實(shí)際情況存在一定的差異,請與本公司銷售人員聯(lián)系確認(rèn)。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾,本公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息,恕不另行通知,請您見諒。  

 

 



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