PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD).
我司按照客戶不同的應(yīng)用需求，提供高質(zhì)量的PECVD滿足不同的研究生產(chǎn)需求。
我司提供的PECVD系統(tǒng)可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。最大沉積尺寸為12英寸。
通常選用射頻淋浴源(RF)或帶有不規(guī)則氣體分布的空心陰極射頻等離子體源作為反應(yīng)源產(chǎn)生等粒子體。
部分PECVD可以升級到PECVD & 反應(yīng)離子蝕刻雙功能系統(tǒng)(帶ICP源)。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)參數(shù)：
腔體極限真空度:10-7 torr；
等粒子源: 射頻淋浴源（RF）、空心陰較高密度等離子體源（HCD）、感應(yīng)耦合等離子體源(ICP)或微波等離子體源, VHF（甚高頻）電源
襯體直徑:最大12" (300 mm)直徑
帶RF偏壓的襯底托；
加熱溫度:最高800°C；
最高可達(dá)8路MFC和多樣化的氣體選擇；
均勻性：≤±3%；
預(yù)抽真空室和自動晶片裝卸門；
全自動控制；

應(yīng)用領(lǐng)域：
等離子誘導(dǎo)表面改性；
等離子清洗；
等離子聚合；
SiO2, Si3N4, DLC及其它薄膜；
碳納米管(CNT)的選擇性生長。