校正晶圓標準片是1款符合NIST(美國國家標準研究所）標準，內(nèi)含尺寸證書的PSL晶圓標準片。該校正 晶圓標準片標準片表面由單分散聚苯乙烯乳膠珠沉積而成，并于50nm至10微米尺寸范圍內(nèi)的形成窄峰寬的尺峰來校準設(shè)備，完成Tencor Surfscan 6220和6440，KLA-Tencor Surfscan SP1，SP2和SP3晶圓檢測系統(tǒng)等設(shè)備的粒徑響應(yīng)曲線校正。校正 晶圓標準片科以全片沉積的方式進行沉積，即整個晶圓上只有單一粒徑?；蛘咝Ｕ?晶圓標準片以多點的沉積方式進行沉積，形成單一或多種尺寸標準峰，并精確分布在校正 晶圓標準片內(nèi)。

       我司提供使用標準粒子的校準晶圓標準片。這可以幫助客戶完成對設(shè)備的尺寸精度的校正，包括KLA-Tencor Surfscan SP1、KLA-Tencor Surfscan SP2、KLA-Tencor Surfscan SP3、KLA-Tencor Surfscan SP5、KLA-Tencor Surscan SP5xp、Surfscan 6420、Surfscan 6220、Surfscan 6220、ADE、Hitachi和Topcon SSIS等工具和晶圓檢測系統(tǒng)。我們的 2300 XP1 顆粒沉積系統(tǒng)可以使用 PSL乳膠小球（聚苯乙烯乳膠標準顆粒）和二氧化硅標準顆粒，在 100mm、125mm、150mm、200mm 和 300mm 硅晶圓上沉積。

        工廠的半導體計量設(shè)備管理員使用這些PSL校正 晶圓標準片來校準由KLA-Tencor，Topcon，ADE和Hitachi的掃描表面檢測系統(tǒng)（SSIS，Sufface Scan Inspection System）的尺寸響應(yīng)曲線。PSL晶圓標準片亦用于評估Tencor Surfscan掃描硅片或薄膜的均勻性。

       校正 晶圓標準片用于驗證和控制SSIS等設(shè)備的兩項性能規(guī)格：特定顆粒尺寸下的尺寸精度和整片掃描中晶圓掃描的均一性。校正 晶圓標準片通常以單一種粒徑（通常于50nm至12微米之間）的全沉積形式提供。通過在晶圓上沉積，即沉積，晶圓檢測系統(tǒng)可以鎖定顆粒峰，操作員可以輕松確定SSIS等工具是否在此尺寸下符合性能規(guī)格。例如，如果晶圓標準片為100nm，并且 SSIS 掃描到95nm或105nm 處的峰值，因此可以判定SSIS超限，此時可以使用100nm PSL 晶圓標準片進行校正。掃描晶圓標準片還可以告訴技術(shù)人員SSIS在PSL晶圓標準片中的檢測效果如何，從而在均勻沉積的晶圓標準片中尋找顆粒檢測的相似性。晶圓標準片的表面以特定的PSL尺寸沉積，不留下任何未沉積在PSL小球的晶圓部分。在掃描PSL晶圓標準片期間，掃描晶圓的均勻性應(yīng)表明SSIS在掃描過程中沒有忽略晶圓的某些區(qū)域。因為2個不同SSIS設(shè)備（沉積點和客戶點）的計數(shù)效率不同，全沉積晶圓上的計數(shù)精度是主觀片面的，有時差異高達50%。因此，同一標準片，在SSIS設(shè)備1測量到在204nm粒徑有2500計數(shù)，而在客戶處的SSIS設(shè)備2掃描得到計數(shù)值位于1500至3000。2臺SSIS設(shè)備間的計數(shù)差異的原因是內(nèi)部PMT（光電倍增器管）的激光效率不同。由于兩臺SSIS設(shè)備的激光功率和激光束強度差異，兩臺不同晶圓檢測系統(tǒng)之間的計數(shù)精度通常不同。

校正晶圓標準片：

                      以上兩圖為PSL校正 晶圓標準片有兩種類型的沉積：全片沉積和多點沉積。

      聚苯乙烯乳膠珠（PSL球）或二氧化硅納米顆粒均可以沉積。

     多點沉積的PSL晶圓標準片用于在一個尺寸峰或多個尺寸峰下校準SSIS設(shè)備的尺寸精度。

多點沉積的校正 晶圓標準片具有以下優(yōu)點：沉積在晶圓上的PSL小球形成的斑點清晰可見，并且斑點周圍的剩余晶圓表面沒有任何PSL小球。優(yōu)點是，隨著時間的推移，人們易于判斷校正 晶圓標準片是否因為太臟而無法用作尺寸參考標準。多點沉積將所需的PSL小球沉積到晶圓表面上的特定斑點位置;因此，因此表面是非常少的PSL球體和帶來更高的計數(shù)精度。我司采用 DMA（差分遷移率分析儀）技術(shù)的 2300XP1 型，以確保沉積的PSL小球的尺寸峰準確無誤。1臺CPC用于控制計數(shù)準確性。DMA旨在從粒子流中去除不需要的顆粒，如雙倍粒徑顆粒和三倍粒徑顆粒。DMA還設(shè)計用于去除尺寸峰左側(cè)和右側(cè)不需要的顆粒;從而確保單分散的顆粒峰沉積在晶圓表面。在沒有DMA技術(shù)的情況下，允許在晶圓表面沉積不需要的雙倍粒徑、三倍粒徑和背景顆粒沉積以及所需的粒徑。