![]() |
深圳市秋山貿(mào)易有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品: 抹茶生產(chǎn)線(xiàn),粉碎研磨珠,口紅硬度計(jì) |
10
聯(lián)系電話(huà)
13823147203
您現(xiàn)在的位置: 深圳市秋山貿(mào)易有限公司>>機(jī)械設(shè)備>>拋光機(jī)>> TR15M實(shí)驗(yàn)級(jí)半導(dǎo)體材料桌上型CMP 加工研磨拋光機(jī)
公司信息
- 聯(lián)系人:
- 林經(jīng)理
- 電話(huà):
- 手機(jī):
- 13823147203
- 地址:
- 深圳市龍崗區(qū)龍崗街道新生社區(qū)新旺路和健云谷2棟B座1002
- 郵編:
- 個(gè)性化:
- www.cnakiyama.com
TR15M實(shí)驗(yàn)級(jí)半導(dǎo)體材料桌上型CMP 加工研磨拋光機(jī)
| 參考價(jià) | ¥ 10000 |
| 訂貨量 | 1000件 |
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 型號(hào) TR15M
- 品牌 其他品牌
- 廠(chǎng)商性質(zhì) 代理商
- 所在地 深圳市
更新時(shí)間:2025-11-17 13:28:52瀏覽次數(shù):259
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
【簡(jiǎn)單介紹】
實(shí)驗(yàn)級(jí)半導(dǎo)體材料桌上型CMP 加工研磨拋光機(jī)
日本 Techno Rise 桌上型 CMP 加工研磨包裝拋光裝置 TR15M(文獻(xiàn)中具體型號(hào)為 TR15M-TRK1)是一款用于 300 mm 以下晶圓(或小樣片)的實(shí)驗(yàn)級(jí)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)平臺(tái),核心信息如下:
1. 設(shè)備定位
主要面向漿料開(kāi)發(fā)、工藝驗(yàn)證、小批量試產(chǎn),可完成氧化硅、氮化硅、金屬(Cu、W)等薄膜的去除與平坦化 。
2. 關(guān)鍵規(guī)格(
| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 10萬(wàn)-30萬(wàn) |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
日本 Techno Rise 桌上型 CMP 加工研磨包裝拋光裝置 TR15M(文獻(xiàn)中具體型號(hào)為 TR15M-TRK1)是一款用于 300 mm 以下晶圓(或小樣片)的實(shí)驗(yàn)級(jí)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)平臺(tái),核心信息如下:
1. 設(shè)備定位
主要面向漿料開(kāi)發(fā)、工藝驗(yàn)證、小批量試產(chǎn),可完成氧化硅、氮化硅、金屬(Cu、W)等薄膜的去除與平坦化 。
2. 關(guān)鍵規(guī)格(
實(shí)驗(yàn)級(jí)半導(dǎo)體材料桌上型CMP 加工研磨拋光機(jī)
實(shí)驗(yàn)級(jí)半導(dǎo)體材料桌上型CMP 加工研磨拋光機(jī)
日本 Techno Rise 桌上型 CMP 加工研磨包裝拋光裝置 TR15M(文獻(xiàn)中具體型號(hào)為 TR15M-TRK1)是一款用于 300 mm 以下晶圓(或小樣片)的實(shí)驗(yàn)級(jí)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)平臺(tái),核心信息如下:
1. 設(shè)備定位
- 主要面向漿料開(kāi)發(fā)、工藝驗(yàn)證、小批量試產(chǎn),可完成氧化硅、氮化硅、金屬(Cu、W)等薄膜的去除與平坦化 。
2. 關(guān)鍵規(guī)格(公開(kāi)文獻(xiàn)值)
| 項(xiàng)目 | 參數(shù) |
|---|---|
| 壓盤(pán)直徑 | 380 mm |
| 最大樣片尺寸 | 40 mm × 40 mm(標(biāo)準(zhǔn)切片) |
| 加壓方式 | 砝碼加載,常用 300 g f/cm2(≈ 29.4 kPa) |
| 轉(zhuǎn)速 | 壓盤(pán) 90–100 rpm;保持器 90–110 rpm(同向旋轉(zhuǎn)) |
| 漿料流量 | 50 mL/min(中心滴注) |
| 典型去除速率 | 氧化硅膜 200–400 nm/min(視漿料而定) |
| 工藝時(shí)間 | 1 min 即可磨穿 2000 nm TEOS 氧化膜 |
3. 系統(tǒng)組成
- 桌上型一體化結(jié)構(gòu),內(nèi)置蠕動(dòng)泵、漿料槽、廢液盤(pán),可放標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室通風(fēng)柜;
- 兼容市售聚氨酯拋光墊(IC-1000/Suba400 等),換墊無(wú)需拆主軸;
- 可升級(jí)終點(diǎn)檢測(cè)模塊(摩擦力或光學(xué)反射式),用于精確停磨。
4. 典型應(yīng)用文獻(xiàn)案例
- 氧化鈰漿料篩選:在 TR15M 上用 1 min 拋光,對(duì)比不同 CeO? 粒徑對(duì)氧化硅去除速率與缺陷影響 ;
- 低 k 介質(zhì) CMP:驗(yàn)證低壓力(<200 g f/cm2)條件下凹陷-腐蝕行為,為 28 nm 以下 BEOL 工藝窗口提供數(shù)據(jù)。
日本 Techno Rise 桌上型 CMP 加工研磨包裝拋光裝置 TR15M(文獻(xiàn)中具體型號(hào)為 TR15M-TRK1)是一款用于 300 mm 以下晶圓(或小樣片)的實(shí)驗(yàn)級(jí)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)平臺(tái),核心信息如下:
1. 設(shè)備定位
- 主要面向漿料開(kāi)發(fā)、工藝驗(yàn)證、小批量試產(chǎn),可完成氧化硅、氮化硅、金屬(Cu、W)等薄膜的去除與平坦化 。
2. 關(guān)鍵規(guī)格(公開(kāi)文獻(xiàn)值)
| 項(xiàng)目 | 參數(shù) |
|---|---|
| 壓盤(pán)直徑 | 380 mm |
| 最大樣片尺寸 | 40 mm × 40 mm(標(biāo)準(zhǔn)切片) |
| 加壓方式 | 砝碼加載,常用 300 g f/cm2(≈ 29.4 kPa) |
| 轉(zhuǎn)速 | 壓盤(pán) 90–100 rpm;保持器 90–110 rpm(同向旋轉(zhuǎn)) |
| 漿料流量 | 50 mL/min(中心滴注) |
| 典型去除速率 | 氧化硅膜 200–400 nm/min(視漿料而定) |
| 工藝時(shí)間 | 1 min 即可磨穿 2000 nm TEOS 氧化膜 |
3. 系統(tǒng)組成
- 桌上型一體化結(jié)構(gòu),內(nèi)置蠕動(dòng)泵、漿料槽、廢液盤(pán),可放標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室通風(fēng)柜;
- 兼容市售聚氨酯拋光墊(IC-1000/Suba400 等),換墊無(wú)需拆主軸;
- 可升級(jí)終點(diǎn)檢測(cè)模塊(摩擦力或光學(xué)反射式),用于精確停磨。
4. 典型應(yīng)用文獻(xiàn)案例
- 氧化鈰漿料篩選:在 TR15M 上用 1 min 拋光,對(duì)比不同 CeO? 粒徑對(duì)氧化硅去除速率與缺陷影響 ;
- 低 k 介質(zhì) CMP:驗(yàn)證低壓力(<200 g f/cm2)條件下凹陷-腐蝕行為,為 28 nm 以下 BEOL 工藝窗口提供數(shù)據(jù)。
日本 Techno Rise 桌上型 CMP 加工研磨包裝拋光裝置 TR15M(文獻(xiàn)中具體型號(hào)為 TR15M-TRK1)是一款用于 300 mm 以下晶圓(或小樣片)的實(shí)驗(yàn)級(jí)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)平臺(tái),核心信息如下:
1. 設(shè)備定位
- 主要面向漿料開(kāi)發(fā)、工藝驗(yàn)證、小批量試產(chǎn),可完成氧化硅、氮化硅、金屬(Cu、W)等薄膜的去除與平坦化 。
2. 關(guān)鍵規(guī)格(公開(kāi)文獻(xiàn)值)
| 項(xiàng)目 | 參數(shù) |
|---|---|
| 壓盤(pán)直徑 | 380 mm |
| 最大樣片尺寸 | 40 mm × 40 mm(標(biāo)準(zhǔn)切片) |
| 加壓方式 | 砝碼加載,常用 300 g f/cm2(≈ 29.4 kPa) |
| 轉(zhuǎn)速 | 壓盤(pán) 90–100 rpm;保持器 90–110 rpm(同向旋轉(zhuǎn)) |
| 漿料流量 | 50 mL/min(中心滴注) |
| 典型去除速率 | 氧化硅膜 200–400 nm/min(視漿料而定) |
| 工藝時(shí)間 | 1 min 即可磨穿 2000 nm TEOS 氧化膜 |
3. 系統(tǒng)組成
- 桌上型一體化結(jié)構(gòu),內(nèi)置蠕動(dòng)泵、漿料槽、廢液盤(pán),可放標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室通風(fēng)柜;
- 兼容市售聚氨酯拋光墊(IC-1000/Suba400 等),換墊無(wú)需拆主軸;
- 可升級(jí)終點(diǎn)檢測(cè)模塊(摩擦力或光學(xué)反射式),用于精確停磨。
4. 典型應(yīng)用文獻(xiàn)案例
- 氧化鈰漿料篩選:在 TR15M 上用 1 min 拋光,對(duì)比不同 CeO? 粒徑對(duì)氧化硅去除速率與缺陷影響 ;
- 低 k 介質(zhì) CMP:驗(yàn)證低壓力(<200 g f/cm2)條件下凹陷-腐蝕行為,為 28 nm 以下 BEOL 工藝窗口提供數(shù)據(jù)。




