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深圳市秋山貿(mào)易有限公司

主營(yíng)產(chǎn)品: 抹茶生產(chǎn)線(xiàn),粉碎研磨珠,口紅硬度計(jì)

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公司信息

聯(lián)人:
林經(jīng)理
話(huà):
機(jī):
13823147203
址:
深圳市龍崗區(qū)龍崗街道新生社區(qū)新旺路和健云谷2棟B座1002
編:
個(gè)化:
www.cnakiyama.com
網(wǎng)址:
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http://www.torontopetheaven.com/st352988/
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TR15M實(shí)驗(yàn)級(jí)半導(dǎo)體材料桌上型CMP 加工研磨拋光機(jī)
實(shí)驗(yàn)級(jí)半導(dǎo)體材料桌上型CMP 加工研磨拋光機(jī)
參考價(jià) 10000
訂貨量 1000
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào) TR15M
  • 品牌 其他品牌
  • 廠(chǎng)商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 深圳市

更新時(shí)間:2025-11-17 13:28:52瀏覽次數(shù):259

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【簡(jiǎn)單介紹】
產(chǎn)地類(lèi)別 進(jìn)口 價(jià)格區(qū)間 10萬(wàn)-30萬(wàn)
應(yīng)用領(lǐng)域 綜合
實(shí)驗(yàn)級(jí)半導(dǎo)體材料桌上型CMP 加工研磨拋光機(jī)
日本 Techno Rise 桌上型 CMP 加工研磨包裝拋光裝置 TR15M(文獻(xiàn)中具體型號(hào)為 TR15M-TRK1)是一款用于 300 mm 以下晶圓(或小樣片)的實(shí)驗(yàn)級(jí)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)平臺(tái),核心信息如下:
1. 設(shè)備定位
主要面向漿料開(kāi)發(fā)、工藝驗(yàn)證、小批量試產(chǎn),可完成氧化硅、氮化硅、金屬(Cu、W)等薄膜的去除與平坦化 。
2. 關(guān)鍵規(guī)格(

實(shí)驗(yàn)級(jí)半導(dǎo)體材料桌上型CMP 加工研磨拋光機(jī)

實(shí)驗(yàn)級(jí)半導(dǎo)體材料桌上型CMP 加工研磨拋光機(jī)

日本 Techno Rise 桌上型 CMP 加工研磨包裝拋光裝置 TR15M(文獻(xiàn)中具體型號(hào)為 TR15M-TRK1)是一款用于 300 mm 以下晶圓(或小樣片)的實(shí)驗(yàn)級(jí)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)平臺(tái),核心信息如下:

1. 設(shè)備定位

  • 主要面向漿料開(kāi)發(fā)、工藝驗(yàn)證、小批量試產(chǎn),可完成氧化硅、氮化硅、金屬(Cu、W)等薄膜的去除與平坦化 。

2. 關(guān)鍵規(guī)格(公開(kāi)文獻(xiàn)值)

表格
復(fù)制
項(xiàng)目參數(shù)
壓盤(pán)直徑380 mm
最大樣片尺寸40 mm × 40 mm(標(biāo)準(zhǔn)切片)
加壓方式砝碼加載,常用 300 g f/cm2(≈ 29.4 kPa)
轉(zhuǎn)速壓盤(pán) 90–100 rpm;保持器 90–110 rpm(同向旋轉(zhuǎn))
漿料流量50 mL/min(中心滴注)
典型去除速率氧化硅膜 200–400 nm/min(視漿料而定)
工藝時(shí)間1 min 即可磨穿 2000 nm TEOS 氧化膜

3. 系統(tǒng)組成

  • 桌上型一體化結(jié)構(gòu),內(nèi)置蠕動(dòng)泵、漿料槽、廢液盤(pán),可放標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室通風(fēng)柜;
  • 兼容市售聚氨酯拋光墊(IC-1000/Suba400 等),換墊無(wú)需拆主軸;
  • 可升級(jí)終點(diǎn)檢測(cè)模塊(摩擦力或光學(xué)反射式),用于精確停磨。

4. 典型應(yīng)用文獻(xiàn)案例

  • 氧化鈰漿料篩選:在 TR15M 上用 1 min 拋光,對(duì)比不同 CeO? 粒徑對(duì)氧化硅去除速率與缺陷影響 ;
  • 低 k 介質(zhì) CMP:驗(yàn)證低壓力(<200 g f/cm2)條件下凹陷-腐蝕行為,為 28 nm 以下 BEOL 工藝窗口提供數(shù)據(jù)。
日本 Techno Rise 桌上型 CMP 加工研磨包裝拋光裝置 TR15M(文獻(xiàn)中具體型號(hào)為 TR15M-TRK1)是一款用于 300 mm 以下晶圓(或小樣片)的實(shí)驗(yàn)級(jí)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)平臺(tái),核心信息如下:

1. 設(shè)備定位

  • 主要面向漿料開(kāi)發(fā)、工藝驗(yàn)證、小批量試產(chǎn),可完成氧化硅、氮化硅、金屬(Cu、W)等薄膜的去除與平坦化 。

2. 關(guān)鍵規(guī)格(公開(kāi)文獻(xiàn)值)

表格
復(fù)制
項(xiàng)目參數(shù)
壓盤(pán)直徑380 mm
最大樣片尺寸40 mm × 40 mm(標(biāo)準(zhǔn)切片)
加壓方式砝碼加載,常用 300 g f/cm2(≈ 29.4 kPa)
轉(zhuǎn)速壓盤(pán) 90–100 rpm;保持器 90–110 rpm(同向旋轉(zhuǎn))
漿料流量50 mL/min(中心滴注)
典型去除速率氧化硅膜 200–400 nm/min(視漿料而定)
工藝時(shí)間1 min 即可磨穿 2000 nm TEOS 氧化膜

3. 系統(tǒng)組成

  • 桌上型一體化結(jié)構(gòu),內(nèi)置蠕動(dòng)泵、漿料槽、廢液盤(pán),可放標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室通風(fēng)柜;
  • 兼容市售聚氨酯拋光墊(IC-1000/Suba400 等),換墊無(wú)需拆主軸;
  • 可升級(jí)終點(diǎn)檢測(cè)模塊(摩擦力或光學(xué)反射式),用于精確停磨。

4. 典型應(yīng)用文獻(xiàn)案例

  • 氧化鈰漿料篩選:在 TR15M 上用 1 min 拋光,對(duì)比不同 CeO? 粒徑對(duì)氧化硅去除速率與缺陷影響 ;
  • 低 k 介質(zhì) CMP:驗(yàn)證低壓力(<200 g f/cm2)條件下凹陷-腐蝕行為,為 28 nm 以下 BEOL 工藝窗口提供數(shù)據(jù)。
日本 Techno Rise 桌上型 CMP 加工研磨包裝拋光裝置 TR15M(文獻(xiàn)中具體型號(hào)為 TR15M-TRK1)是一款用于 300 mm 以下晶圓(或小樣片)的實(shí)驗(yàn)級(jí)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)平臺(tái),核心信息如下:

1. 設(shè)備定位

  • 主要面向漿料開(kāi)發(fā)、工藝驗(yàn)證、小批量試產(chǎn),可完成氧化硅、氮化硅、金屬(Cu、W)等薄膜的去除與平坦化 。

2. 關(guān)鍵規(guī)格(公開(kāi)文獻(xiàn)值)

表格
復(fù)制
項(xiàng)目參數(shù)
壓盤(pán)直徑380 mm
最大樣片尺寸40 mm × 40 mm(標(biāo)準(zhǔn)切片)
加壓方式砝碼加載,常用 300 g f/cm2(≈ 29.4 kPa)
轉(zhuǎn)速壓盤(pán) 90–100 rpm;保持器 90–110 rpm(同向旋轉(zhuǎn))
漿料流量50 mL/min(中心滴注)
典型去除速率氧化硅膜 200–400 nm/min(視漿料而定)
工藝時(shí)間1 min 即可磨穿 2000 nm TEOS 氧化膜

3. 系統(tǒng)組成

  • 桌上型一體化結(jié)構(gòu),內(nèi)置蠕動(dòng)泵、漿料槽、廢液盤(pán),可放標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室通風(fēng)柜;
  • 兼容市售聚氨酯拋光墊(IC-1000/Suba400 等),換墊無(wú)需拆主軸;
  • 可升級(jí)終點(diǎn)檢測(cè)模塊(摩擦力或光學(xué)反射式),用于精確停磨
    。

4. 典型應(yīng)用文獻(xiàn)案例

  • 氧化鈰漿料篩選:在 TR15M 上用 1 min 拋光,對(duì)比不同 CeO? 粒徑對(duì)氧化硅去除速率與缺陷影響 ;
  • 低 k 介質(zhì) CMP:驗(yàn)證低壓力(<200 g f/cm2)條件下凹陷-腐蝕行為,為 28 nm 以下 BEOL 工藝窗口提供數(shù)據(jù)
    。




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