高精度半自動化微米切割系統(tǒng)

?    概況

Sela的半導(dǎo)體裂片儀MC10是一款可以精準(zhǔn)、可靠并快速的獲得樣品截面的產(chǎn)品，他可以在一分鐘內(nèi)完成單個樣品的裂解（包括切割目標(biāo)的兩側(cè)），并確保樣品擁有微米級的精度和極gao的截面質(zhì)量。產(chǎn)品配備的軟件和算法，可以實(shí)現(xiàn)在半自動裂解過程中精確的完成對于樣品的定位控制。

MC10系統(tǒng)制備的截面樣品，以方便樣品隨后用掃描電子顯微鏡進(jìn)行檢測或其他需要的分析

MC10采用刻痕斷裂微切割的專li工藝來制備截面樣品，斷裂沿著晶片的一個或兩個正交切割矢量傳播。

?   工藝流程

標(biāo)準(zhǔn)的切割工藝是用兩級切割機(jī)穿過晶圓段上標(biāo)記點(diǎn)的位置來制備所需的截面，微切割機(jī)制是建立在，通過在三根引腳校準(zhǔn)好的晶圓段上壓出裂縫，然后再做高精度的切割的概念上的。

?   性能

截面精度：±5微米，1西格瑪

截面質(zhì)量：自然斷裂

技術(shù)：Sela精密斷裂

處理時間：1分鐘

?   適用材料

硅晶片：任何標(biāo)準(zhǔn)的晶片材料，單芯片或封裝芯片。

硅片類型：<100>

附加材料：砷化鎵、磷化銦、或者其他具有正交晶體矢量的單晶結(jié)構(gòu)。

晶片樣品厚度：最高2000微米

晶片樣品尺寸：

最大尺寸：80mm*15mm

最小尺寸：2mm*1mm

最佳尺寸：25mm*10mm

目標(biāo)位置：除了距離側(cè)邊1mm的區(qū)域以外的任意位置

最佳目標(biāo)位置：盡可能靠近切割邊緣，并與側(cè)邊對稱

?  系統(tǒng)放大倍數(shù)和分辨率

光學(xué)顯微鏡包含連續(xù)變焦系統(tǒng)，可手動對焦，并含有長工作距離的5倍物鏡，物鏡的數(shù)值孔徑為0.15。

光學(xué)系統(tǒng)的分辨率為1.5微米。

顯示器上的光學(xué)放大倍數(shù)取決于視頻格式和縮放位置。

顯示器對標(biāo)準(zhǔn)視頻格式，分辨率為1280*960的視頻最大放大倍數(shù)約為1000倍

?   制樣效果