在光子集成技術(shù)向高密度、高帶寬升級的趨勢下，光子封裝對微納結(jié)構(gòu)的精度、復雜度與適配性提出嚴苛要求 —— 傳統(tǒng)加工方式難以兼顧 “納米級耦合精度” 與 “三維結(jié)構(gòu)靈活性”，而納糯三維 Nanoscribe 基于雙光子灰度光刻技術(shù)打造的光子封裝微納 3D 打印解決方案，正以 “全結(jié)構(gòu)覆蓋 + 高精度控制 + 場景化適配” 的核心能力，破解光子封裝的加工難題。?
該解決方案以專_利 2GL® 雙光子灰度光刻技術(shù)為核心，構(gòu)建 “設(shè)備 - 軟件 - 工藝 - 服務(wù)” 一體化體系，精準匹配光子封裝中 “耦合結(jié)構(gòu)、互聯(lián)通道、微光學元件” 三大核心加工需求。在技術(shù)架構(gòu)上，通過高頻激光振鏡與 100MHz 動態(tài)體素調(diào)整技術(shù)深度協(xié)同，實現(xiàn)無掩膜直寫式 3D 打?。杭す馐砂磾?shù)字設(shè)計路徑精準掃描，實時調(diào)控體素大小與能量，無需多層切片即可一次性成型三維微納結(jié)構(gòu)，既避免掩模制備導致的周期延誤，又能靈活調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，完_美適配光子封裝中 “小批量、多迭代” 的研發(fā)與生產(chǎn)節(jié)奏。?
針對光子封裝的關(guān)鍵技術(shù)需求，方案形成三大核心能力：其一，超高精度耦合結(jié)構(gòu)加工。加工分辨率低至 100 納米以下，光學級表面粗糙度(Ra<5nm)，可直接打印光纖 - 芯片、芯片 - 芯片耦合所需的微透鏡陣列、漸變折射率透鏡(GRIN Lens)等結(jié)構(gòu)，在實際應用中能將光子器件耦合損耗控制在 1.5dB 以內(nèi)，滿足光通訊、量子光子學的低損耗需求；其二，多材料兼容與異質(zhì)集成。支持光刻膠、玻璃、硅基材料及生物相容性材料等光子封裝常用基底，可在同一芯片上實現(xiàn) “微光學結(jié)構(gòu) + 導電互聯(lián)通道” 的一體化打印，解決傳統(tǒng)工藝中不同材料分步加工的對準難題；其三，跨尺度結(jié)構(gòu)制造。既能實現(xiàn)納米級精細特征(如光子晶體孔徑 < 200nm)，又能兼顧毫米級整體結(jié)構(gòu)(如微流控光學芯片)，適配從光子芯片封裝到集成光學模塊的全尺寸加工需求。?
在場景適配性上，方案覆蓋光子封裝 “研發(fā) - 量產(chǎn)” 全鏈路。面向高校與科研機構(gòu)，支持定制化微納結(jié)構(gòu)快速迭代，可在 1-2 天內(nèi)完成新型光子耦合結(jié)構(gòu)的原型制備，助力超構(gòu)表面、量子光子器件等前沿技術(shù)研發(fā)；針對產(chǎn)業(yè)端，通過 6 英寸晶圓級加工平臺與自動化流程設(shè)計，實現(xiàn)光通訊微透鏡陣列、MEMS 光學開關(guān)等器件的小批量生產(chǎn)，且無需更換掩模即可切換產(chǎn)品型號，生產(chǎn)效率較傳統(tǒng)工藝提升 30% 以上。
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