目錄:華兆科技(廣州)有限公司>>半導(dǎo)體設(shè)備>>原子層沉積設(shè)備ALD>> Savannah ALD原子層沉積系統(tǒng)
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更新時(shí)間:2026-03-05 09:48:42瀏覽次數(shù):25評(píng)價(jià)
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Savannah ALD原子層沉積系統(tǒng)已成為全球從事ALD研究、尋求經(jīng)濟(jì)實(shí)惠且穩(wěn)健平臺(tái)的大學(xué)研究人員優(yōu)先的系統(tǒng)。過(guò)去十年中,我們已交付數(shù)百套此類系統(tǒng)。Savannah®高效利用前體和節(jié)能功能,大幅降低了薄膜沉積系統(tǒng)的運(yùn)行成本。
Savannah ALD原子層沉積系統(tǒng)主要特點(diǎn)包括:
原位橢偏度
原位量子運(yùn)力學(xué)
自組裝單分子層
2秒周期時(shí)間
綜合臭氧
低蒸氣沉積
批量處理
手套箱集成
Savannah®配備了高速氣動(dòng)脈沖閥,支持我們獨(dú)特的曝光模式™,用于超高展弦比基底上的薄膜沉積。這種經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的精密薄膜涂層方法可用于在寬高比大于> 2000:1的基底上沉積均勻、共形的薄膜。Savannah®提供三種配置:S100、S200和S300。Savannah®能夠容納不同尺寸的基材(S300可達(dá)300mm)。Savannah®薄膜沉積系統(tǒng)配備加熱前驅(qū)體管線,并可選添加最多六條管線。Savannah®能夠處理氣體、液體或固體前驅(qū)體。
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